在近日舉辦的Wolfe Research汽車、汽車技術與半導體會議上，Micron美光首席財務官Mark Murphy透露，公司HBM4內存已正式進入大規模量產階段，整體進度超出預期。這一消息標志著美光在高性能存儲領域的布局取得關鍵突破，其HBM4產品憑借技術優勢正快速搶占市場先機。
Mark Murphy進一步表示，美光已啟動HBM4內存的客戶交付工作，預計本季度出貨量將呈現持續上升態勢。得益于產能的穩步擴張，公司當前日歷年的HBM產品供應已全部被客戶預訂，其中HBM4的良率表現完全符合預期目標。該產品最高可實現11Gbps的傳輸速率，在性能、質量及可靠性方面均達到行業領先水平，為人工智能、高性能計算等前沿領域提供了強有力的存儲支持。
當前存儲半導體市場呈現供不應求的顯著特征。Mark Murphy指出，即便對于重點客戶，美光的供應能力也僅能滿足其需求的50%至67%。這種供需失衡局面預計將持續至2026年以后，主要原因是制程升級帶來的產能提升已無法匹配快速增長的市場需求，而新建晶圓廠所需的較長周期更加劇了供應緊張態勢。美光正通過優化生產流程、加速技術迭代等方式，努力緩解這一結構性矛盾。
