摩根大通近日發布的一份深度研究報告引發市場高度關注，該機構通過多維度分析指出，全球頭部存儲芯片制造商正迎來前所未有的發展機遇。基于對行業周期、供需格局及技術演進的系統性研究，報告預測到2027年頭部企業合計市值有望突破1.5萬億美元，較當前水平存在超50%的上行空間。
報告特別強調當前存儲行業正處于"雙軌制"定價階段。在企業級市場，AI算力需求呈現指數級增長，CSP廠商與特定消費電子品牌為爭奪資源展開激烈競爭，推動B2B領域價格持續走強。與之形成對比的是，消費級市場因終端需求疲軟面臨周期性壓力，但服務器端需求的爆發式增長已完全對沖消費端下行風險。摩根大通數據顯示，AI推理對內存的消耗量是訓練階段的3倍，這種結構性需求將成為支撐價格的核心動力。
在供需關系分析中，研究團隊通過構建"產能-位元"動態模型，對市場普遍擔憂的2027年產能過剩論調提出反駁。模型顯示，盡管晶圓廠建設加速，但HBM（高帶寬內存）產能擠占效應顯著，其占DRAM總產能的比例將從2025年的19%躍升至2027年的28%。更關鍵的是，受潔凈室空間限制和工藝復雜度提升影響，2026年常規DRAM產能預計同比下降，即便2027年有三星P4、海力士M15X等新項目投產，位元出貨量增長仍將控制在20%以內，導致供需缺口持續存在。
價格走勢預測方面，摩根大通給出明確量化指標：2026財年DRAM平均售價（ASP）將暴漲53%，NAND Flash漲幅約30%；2027財年DRAM價格在高位盤整后仍有1%微漲，NAND則小幅回調6%。這種分化格局背后，是AI驅動的B2B市場與成本敏感型B2C市場的深度割裂。報告特別指出，Google Gemini 3.0引發的GPU與ASIC路線之爭，反而為HBM需求創造雙重利好，預計2027年HBM供需缺口將維持在8%-12%的高位。
企業級SSD（eSSD）市場同樣迎來結構性機遇。隨著AI服務器對存儲密度要求提升至普通服務器的3倍，疊加HDD廠商資本開支謹慎導致的供應缺口，摩根大通預計2026財年NAND價格將上漲27%。在資本支出層面，雖然存儲廠商公布了多項擴產計劃，但設備支出（WFE）增速將顯著領先總體資本開支，2026/2027年DRAM領域設備投資分別增長19%/26%，且資本密集度維持在DRAM低于30%、NAND低于20%的合理區間，顯示供應端保持戰略克制。
估值模型方面，摩根大通采用"市值/市場規模（TAM）"框架，結合2018-2021年周期3.5倍市銷率中值，測算2027年存儲市場規模將達4200億美元，對應頭部企業合計市值1.5萬億美元。該機構明確建議投資者繼續做多存儲板塊，認為當前行業正處于"歷史上最長最強的上升周期"，AI算力革命與數字化轉型構成的雙重引擎，將持續推動價值重估進程。
