在第四代半導體材料領域，一項突破性成果引發關注。中國科學院上海光機所聯合杭州富加鎵業科技有限公司，在國際上首次運用垂直布里奇曼法（VB法）成功制備出8英寸氧化鎵晶體。這一成果得益于上海市科委第四代半導體戰略前沿專項的支持。
氧化鎵作為第四代半導體的代表性材料，具備禁帶寬度大、擊穿場強高的特性，在超高壓功率器件領域有著不可替代的重要應用價值。上海光機所是國內較早投身氧化鎵晶體研究的科研單位，在VB法研究方面，與富加鎵業緊密合作，大力提升關鍵裝備制造、高精度模擬仿真、確定性熱場設計這三大核心技術。
回顧過往，該研究團隊成果斐然。2024年7月，在國內率先實現3英寸氧化鎵晶體制備；同年12月，成功制備出4英寸晶體；2025年9月，再次取得突破，在國內首次實現6英寸晶體制備；直至2025年12月，刷新了國際VB法制備氧化鎵晶體的最大尺寸紀錄。
與其他制備方法相比，VB法在氧化鎵晶體制備方面優勢顯著。其生長過程無需使用銥金，大幅降低了生長成本；溫度場均勻、溫度梯度小，更有利于生長出大尺寸、高質量的氧化鎵晶體；能夠生長柱狀晶體，有效提高了材料制備效率；而且生長過程穩定，非常適合自動化、規模化生產，是實現大規模產業化的理想路徑。
目前，上海光機所與富加鎵業正攜手下游用戶，加快開展器件端對材料端的應用驗證工作，持續優化氧化鎵材料及器件性能，全力推動氧化鎵產業化應用進程。
